Цены на оперативную память взлетели до 83%. Японские учёные нашли замену DRAM
Контрактные цены на мобильную DRAM-память во втором квартале 2026 года продемонстрировали стремительный рост, сообщила аналитическая компания TrendForce. Средняя цена LPDDR4X выросла на 70–75% по сравнению с предыдущим кварталом, а LPDDR5X подорожала на 78–83%. Общий прогнозируемый рост цен на DRAM составил около 80%.
Производители смартфонов испытывают серьёзное давление из-за роста стоимости компонентов. Смартфоны с 16 гигабайтами памяти становятся роскошью. Крупнейшие южнокорейские поставщики памяти применяют разные стратегии ценообразования. Samsung Electronics провела единовременное существенное повышение цен, тогда как SK hynix выбрала путь постепенного увеличения стоимости. Окончательные расценки SK hynix ожидаются к концу мая.
Розничные продавцы компьютерной техники на мировом рынке сталкиваются с ситуацией, когда ценники теряют актуальность из-за быстрого роста стоимости. Цены растут настолько быстро, что стоимость комплектов памяти достигла цены автомобиля, а оперативную память начали сравнивать с золотом. Рост спроса связан с бумом технологий искусственного интеллекта, требующих всё больше динамической памяти с произвольным доступом.
На фоне взлёта цен учёные из Токийского университета и научно-исследовательского института RIKEN разработали альтернативу существующим технологиям. Новый тип памяти создан на основе антиферромагнетика тримарганец-олово (Mn3Sn).
Материал переключает своё магнитное состояние за 40 пикосекунд — это в 250 раз быстрее современной DRAM, у которой время внутреннего доступа к ячейке памяти составляет 10 наносекунд. Переключение происходит с помощью электрических импульсов, учёные также экспериментировали с переключением при помощи света.
Технология основана на квантово-механических явлениях — переносе спин-орбитального момента электрона вместо обычного потока электронов. Такой подход позволяет создать память, которая в 25 раз быстрее DRAM, почти не нагревается и не изнашивается.
Разработка университета Токио и центра RIKEN CEMS направлена на преодоление ограничений существующих технологий памяти. Новая энергоэффективная магнитная память требует минимального энергопотребления и не создаёт проблем с нагревом.